SK하이닉스, 차세대 HBM4E 샘플 공급…AI 메모리 초격차 속도

[마이데일리 = 윤진웅 기자] SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장 선점에 속도를 내고 있다. 고성능·고효율을 앞세운 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 차세대 인프라 경쟁에 본격적으로 뛰어들었다.

SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다.

이번 제품은 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고, 에너지 효율은 20% 이상 개선했다. AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능도 한층 높였다.

HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 개발됐다. 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.

12단 적층 기준 48GB 용량도 구현했다. 여기에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 구조 안정성을 높였고, 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 낮췄다. 고성능 연산 환경에서도 메모리가 안정적으로 작동하도록 설계했다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E에서도 적기 양산과 공급 경쟁력을 이어간다는 방침이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “HBM4E 제품에서도 업계 최고 수준의 기술 경쟁력과 양산 역량을 이어가 AI 혁신을 지속적으로 이끌 기반을 마련했다”며 “풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.