안현 SK하이닉스 사장 "HBM 용량 10배 HBF 개발"

[프라임경제] 안현 SK하이닉스(000660) 개발총괄 사장은 14일 "고대역폭플래시(HBF)는 기존 고대역폭메모리(HBM)보다 대역폭은 절반 수준이지만 용량은 10배 이상으로 늘릴 수 있다"고 말했다.

안 사장은 이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2026' 기조연설에서 HBF의 개발 방향을 설명하며 이같이 밝혔다.

안 사장은 "인공지능(AI) 인프라의 성능 규모가 오는 2030년에는 올해보다 약 20배까지 커질 것"이라고 전망했다. 이에 안 사장은 개별 메모리의 성능을 높이는 것을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화하는 접근이 필요하다고 봤다.

이를 위해 기존 HBM의 성능을 고도화하는 동시에 3D 적층 D램과 HBF 등 차세대 메모리 기술 개발을 추진 중이다.

HBF는 D램 대신 낸드플래시를 수직으로 쌓고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는 차세대 메모리다. HBF는 동세대 HBM 대비 절반 수준의 대역폭과 약 10배의 용량을 제공하는 것을 개발 목표로 하고 있다.

이를 통해 AI 연산에 필요한 대량의 데이터를 연산기에 가까운 곳에 저장하고, D램과 솔리드스테이트드라이브(SSD)로의 접근을 최소화해 시스템 전반의 성능과 에너지 효율을 높일 수 있을 것으로 기대가 모인다.

AI 추론 과정에서는 대규모 데이터를 반복적으로 읽는 작업이 빈번한 반면 쓰기 작업은 상대적으로 적게 발생한다. 안 사장은 이러한 데이터 처리 특성이 낸드 기반의 HBF에 적합하다고 설명했다.

그는 특정 AI 모델의 데이터 처리 사례를 들어 읽기 작업이 쓰기 작업보다 약 30만배 많다고 부연했다.

HBF 개발에 속도를 내고 내년 1월 최종 기술 규격을 마련하겠다는 계획도 밝혔다.

안 사장은 "올해 7월 스펙 0.7을 공개했고 2027년 1월 최종 규격을 만들 것"이라면서 "고객과 파트너들이 함께 규격을 정하고 표준을 제정해 생태계를 만드는 접근이 AI 시대에는 꼭 필요하다"고 강조했다.

안 사장은 SRAM과 HBM 사이의 성능 병목을 해결할 차세대 기술로 3차원 적층 D램을 소개했다. 

3차원 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 로직 반도체 위에 D램을 적층해 연산기와 데이터 간 물리적 거리를 줄이는 구조다. 대규모 AI 모델 추론 과정에서 필요한 데이터를 연산기에 더욱 가까운 곳에서 빠르게 공급함으로써 성능을 높이고 에너지 소모를 줄이는 것이 핵심이다.

안 사장은 "3D 적층 D램은 입출력(I/O)을 기존 HBM보다 수십 배 늘려 AI의 성능 병목을 해결하는 새로운 메모리 계층"이라고 말했다.

SK하이닉스는 차세대 메모리 기술 개발과 함께 새로운 메모리 생태계 구축에도 나설 계획이다.

특히 HBF의 선제적인 표준화를 추진하고 글로벌 파트너들과 협력을 강화해 차세대 메모리 기술의 발전 기반을 마련한다는 방침이다.

안 사장은 AI 시대의 메모리 경쟁력이 개별 제품의 성능과 용량을 높이는 것을 넘어 다양한 메모리 계층을 유기적으로 연결하고 시스템 전체의 효율을 극대화하는 방향으로 발전할 것이라고 강조했다.

SK하이닉스는 HBM에서 축적한 기술 경쟁력을 기반으로 새로운 메모리 계층으로 기술 영역을 확대하고, 파트너들과의 협력을 통해 AI 생태계의 지속적인 성장을 뒷받침해 나갈 계획이다.

이외에도 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)와스토리지 넥스트(Storage-Next) 등 차세대 메모리·스토리지 기술을 통해 메모리 계층을 다변화하고, AI 워크로드에 최적화된 메모리 구조를 구현해 나간다는 구상이다.

안 사장은 "평생 메모리를 해온 사람으로서 메모리를 부품 그 자체라고만 보지는 않는다"면서 "새로운 메모리 계층을 구축해 성능과 용량의 병목을 해결해 나가고자 한다"고 강조했다.

아울러 "AI의 빠른 확산으로 대한민국에 새로운 기회가 왔다고 생각한다"면서 "국내 여러 기업과 SK하이닉스가 각자의 자리에서 기술을 개발하고 협업해 새로운 대한민국의 AI 생태계를 만들기를 바란다"고 덧붙였다.