SK하이닉스, 용인·청주에 54조 투자…AI 메모리 생산능력 확대 드라이브

[마이데일리 = 윤진웅 기자] SK하이닉스가 용인과 청주에 약 54조원을 투입해 인공지능(AI) 메모리 생산능력을 대폭 확대한다. 고대역폭메모리(HBM)와 차세대 D램, 낸드 수요 증가에 맞춰 생산 기반을 선제적으로 확보하고 공급 경쟁력을 끌어올린다는 전략이다.

SK하이닉스는 7일 이사회에서 용인 반도체 클러스터 2기 팹(Y2)에 35조2000억원, 청주 낸드 생산기지 M17에 19조1000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 총투자 규모는 54조3000억원이다.

용인 Y2는 클러스터에 들어설 총 4개 팹 가운데 두 번째 생산시설이다. 연면적 34만1000평 규모로 조성되며 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다.

Y2는 HBM을 비롯한 차세대 D램 생산 거점으로 활용된다. 투자금은 2031년 10월까지 순차적으로 집행하며 지원동과 연구개발통합센터, 부대시설 구축 비용도 포함됐다.

SK하이닉스는 용인 클러스터 구축 속도도 끌어올린다. 당초 2045년으로 예정했던 4개 팹 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 모든 생산시설을 구축한다는 목표다.

현재 건설 중인 1기 팹(Y1)은 내년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 공사를 진행하고 있다. Y2 가동까지 필요한 1단계 전력·용수 인프라도 공정률 99%로 마무리 단계다.

청주 M17은 낸드 생산능력 확대를 맡는다. 연면적 20만6000평 규모로 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열 예정이다. 투자금은 2031년 4월까지 단계적으로 투입한다.

청주에는 기존 낸드 팹 M11·M12·M15가 위치해 있어 부지와 전력·용수 등 인프라를 활용할 수 있다. SK하이닉스는 기존 생산시설과 연계해 신규 팹 건설 속도와 운영 효율을 높일 계획이다. 향후 시장 수요에 맞춰 클린룸 증설과 장비 투입도 순차적으로 진행하며 HBM·D램·낸드 생산능력을 확대할 방침이다.