SK하이닉스, HBM 넘어 ‘풀스택 AI 메모리’로…차세대 아키텍처 제시

[마이데일리 = 윤진웅 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 D램과 고대역폭플래시(HBF), 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)까지 하나로 연결하는 차세대 AI 메모리 청사진을 제시했다. 개별 제품의 성능 경쟁에서 벗어나 AI 인프라 전체를 최적화하는 ‘풀스택 AI 메모리’ 기업으로 영역을 확장한다는 구상을 내놨다.

7일 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS 2026에서 계층형 메모리를 기반으로 한 차세대 AI 메모리 아키텍처와 주요 기술을 공개했다.

핵심은 서로 다른 메모리를 용도와 성능에 맞춰 배치하는 ‘계층형 메모리’다. AI가 학습에서 대규모 추론과 에이전틱 AI로 진화하면서 HBM 등 특정 제품만으로 폭증하는 데이터를 감당하기 어려워진 데 따른 대응이다.

SK하이닉스는 HBM과 D램, HBF, SSD 등을 유기적으로 연결해 데이터 이동을 최소화해야 AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화할 수 있다고 강조했다.

김천성 SK하이닉스 솔루션개발 부문장은 “앞으로는 모든 메모리 계층을 아우르는 최적화된 아키텍처를 구현하는 역량이 AI 인프라 경쟁력의 핵심이 될 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 차세대 HBF도 핵심 해법으로 제시했다. HBF는 HBM의 고대역폭과 SSD의 대용량 특성을 결합한 새로운 메모리 계층으로, AI 시스템의 확장성을 높이고 운영비용을 낮출 기술로 개발되고 있다. SK하이닉스는 구글·샌디스크 등과 기술 개발과 표준화를 추진하고 있다.

컴퓨트익스프레스링크(CXL)를 활용한 메모리 확장 기술도 시연했다. 여러 서버와 그래픽처리장치(GPU)가 메모리를 공동 활용해 AI 추론 과정에서 발생하는 대규모 데이터를 빠르게 저장·재사용하는 방식이다. 장문 데이터를 처리하는 대규모언어모델(LLM)의 성능을 높이는 차세대 추론 기술도 선보였다.

HBM 경쟁력도 전면에 내세웠다. 전시장에는 HBM4와 엔비디아의 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’을 함께 배치하고 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단 등 차세대 제품군을 공개했다.

낸드에서는 375단 4D 낸드를 선보였다. 웨이퍼 본딩을 적용한 첫 제품으로 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높였다. SK하이닉스는 이를 기반으로 한 고성능 eSSD를 내년 상반기부터 양산해 AI 데이터센터용 낸드 시장 공략을 강화할 계획이다.

SK하이닉스는 “HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL까지 AI 인프라 전 계층을 아우르는 기술 역량을 강화해 고객에게 최적화된 AI 메모리 솔루션을 제공하겠다”고 강조했다.