AI 가속기 위에 HBM 쌓는다…삼성전자, ‘zHBM’ 첫 공개

[마이데일리 = 윤진웅 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 가속기 위에 고대역폭메모리(HBM)를 수직 적층하는 차세대 ‘zHBM’을 처음 공개했다. 데이터 이동 거리를 줄여 성능과 전력효율을 동시에 끌어올리며 AI 메모리 기술 경쟁에 승부수를 띄웠다.

삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 FMS 2026에서 zHBM과 차세대 낸드 솔루션 ‘zNAND-O’ 목업을 업계 최초로 선보였다고 5일 밝혔다.

zHBM은 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 기존 구조와 달리 가속기 상단에 메모리를 수직으로 쌓는 3차원 아키텍처다. 데이터 이동 거리를 줄여 HBM5 대비 성능을 최대 8배, 전력효율을 최대 3배 높일 수 있다. 열 저항도 절반 이상 낮췄다.

메모리와 AI 가속기 사이에 맞춤형 설계자산(IP)을 적용해 고객 요구에 따라 용량과 성능을 조정할 수 있는 점도 특징이다.

삼성전자는 온디바이스 AI용 고성능 낸드인 zNAND-O도 공개했다. 수직 적층 기술과 실리콘관통전극(TSV)을 결합해 4단 또는 8단 칩을 3차원으로 패키징한 제품이다.

이와 함께 업계 최초로 400단 이상의 10세대 V낸드 ‘V10 BV-NAND’를 선보였다. 전 세대보다 집적도를 약 58% 높여 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 했다.

삼성전자는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, 차세대 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 전시했다. 메모리와 로직, 파운드리, 패키징을 아우르는 원스톱 역량을 활용해 AI 반도체 시장 공략을 강화할 계획이다.